Công bố khoa học mới trên Tạp chí Ceramics International
Chúc mừng nhóm nghiên cứu từ Phòng thí nghiệm Vật liệu Kỹ thuật cao (Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG-HCM) cùng các đối tác vừa công bố thành công công trình nghiên cứu về vật liệu màng mỏng ITO nhiệt điện trên tạp chí quốc tế uy tín Ceramics International
Thông tin công trình:
- Tên bài báo: Preferred orientation-dependent thermoelectric properties of Sn-doped In2O3 thin films via sputtering time control
- Tạp chí: Ceramics International (Elsevier)
- Tác giả: Trang Thuy Thi Phan, Trieu Quang Vo, Dung Van Hoang, Oanh Kieu Truong Le, Han Gia Ngoc Nguyen, Duy Anh Duong Le, Thuy Dieu Thi Ung, Athorn Vora-ud, Anh Tuan Thanh Pham, Vinh Cao Tran.
- Đơn vị thực hiện: PTN. Vật liệu Kỹ thuật cao (Trường Đại học Khoa học Tự nhiên, ĐHQG-HCM), Viện Khoa học Vật liệu (VAST) và Đại học Sakon Nakhon Rajabhat (Thái Lan).
Ý nghĩa khoa học & Kết quả nổi bật:
- Kiểm soát định hướng tinh thể: Nghiên cứu đã làm rõ sự chuyển biến định hướng ưu tiên mặt mạng (400) theo thời gian phún xạ magnetron RF, đóng vai trò then chốt trong việc thúc đẩy khả năng truyền tải hạt tải điện trong màng mỏng ITO.
- Tối ưu hóa hiệu suất nhiệt điện: Màng ITO-7 (thời gian phún xạ 7 phút) đạt hệ số công suất nhiệt điện (Power Factor) cực đại 168 μW m⁻¹ K⁻² tại 594 K nhờ sự cân bằng tối ưu giữa hệ số Seebeck và độ dẫn điện.
- Đóng góp mới về kỹ thuật chế tạo màng mỏng: Công trình chứng minh việc điều chỉnh thời gian phún xạ là phương pháp hiệu quả để điều tiết định hướng tinh thể và khuyết tật cấu trúc, gợi mở giải pháp tối ưu tính chất nhiệt điện cho các hệ vật liệu ôxít dẫn điện trong suốt (TCO).
Tài trợ & Kỷ niệm:
- Nghiên cứu được tài trợ bởi Đại học Quốc gia TP.HCM dưới mã số đề tài B2025-18-06.
- Công trình được công bố nhân dịp kỷ niệm 25 năm thành lập Vật liệu Kỹ thuật cao (2001 – 2026).
Xin chúc mừng nhóm tác giả và chúc nhóm tiếp tục đạt nhiều thành tựu mới trong nghiên cứu khoa học!
– Văn Dũng tổng hợp –